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　　12月15日，“集成智忆，共筑存力”mSSD存储介质生态创新交流会在深圳英特尔大湾区科技创新中心成功举办。本次大会汇聚了来自算力核心、存储晶圆、存储主控、先进封测、主板设计、终端制造及消费存储品牌产业链伙伴，共探AI时代存储介质生态创新。作为mSSD存储介质生态的重要参与者，联芸科技受邀参加，总经理李国阳先生以“协同创新赋能AI存储产业发展”为题发表了专题报告。

　　本次，联芸科技携手江波龙，通过技术协同创新，成功克服了集成封装、高效散热与灵活扩展等关键技术挑战，创新性地推出了具备芯片级品质的mSSD产品，打造出“高品质、高效率、低成本、更灵活”的SSD新品类，进一步推动了SSD产品向更广阔的应用领域拓展。

　　联芸科技与江波龙的协同创新始于2018年，并自2019年起始终是江波龙最大的SSD主控芯片合作伙伴。双方合作已覆盖消费级、工业级及企业级SSD全品类产品。联芸科技的SSD主控芯片随江波龙旗下系列品牌存储产品，远销到70多个国家和地区，广泛服务于全球主要PC品牌。

　　针对mSSD产品的特性与需求，其SSD主控芯片需在PAD布局、NAND自适配、低功耗设计及敏捷纠错等方面达到更高要求，以适应mSSD高集成度封装和高品质标准。在NAND自适配方面：联芸科技凭借独创的NAND高速接口技术，不仅有效解决了与全球七大主流NAND原厂不同类别NAND颗粒的兼容性问题，还攻克了高速接口设计的关键挑战。在低功耗设计方面：联芸科技MAP1202、MAP1602、MAP1802主控芯片能效比分别为1.26W/3.5G、1.67W/7.5G、2.5W/15G；每一代主控芯片在性能提升一倍的情况下，功耗提升不足50%。在敏捷纠错方面：联芸科技在首款自主开发的SSD主控芯片(型号：MAS0902)即搭载了2K LDPC纠错技术，以应对NAND颗粒从TLC向QLC演进对纠错能力提出的更高要求，并成为全球首家在消费级SSD领域推出QLC解决方案的主控芯片提供商，奠定了公司在行业内的地位。

　　随着端侧AI的崛起，其对存储性能与能效提出了前所未有的要求。为应对这一挑战，联芸科技未止步于MAP1602所取得的商业成功，在其基础上持续迭代创新，推出新一代MAP1606主控芯片。相较MAP1602，MAP1606在NAND接口速度上提升50%，支持3600MT/s；随机读写提升超50%，最高可达RR：1.7M IOPS，RW：1.5M IOPS；在显著提升游戏体验(3D Mark存储测试分数提升35%，超过4800分)的同时，实现低功耗下降26%。在PCIe 5.0主控芯片领域，联芸科技的MAP1802凭借创新的四通道DRAM-Less架构，实现了顺序读取14.8GB/s，随机读取 3M IOPS的卓越性能。

　　面对AI工作负载的严苛要求，联芸科技以已量产的PCIe Gen4主控芯片，与江波龙mSSD存储介质方案深度融合。该芯片通过强化随机读写性能、优化数据调度机制并提升纠错能力，确保存储在高并发、长周期负载下的稳定与耐用性。与此同时，联芸科技面向端侧AI场景开发的更高效的PCIe Gen5 主控芯片，也将进一步协同生态伙伴，共同推动存储与端侧AI计算实现下一代性能跨越，充分释放存储介质化的潜力。